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西安芯派電子科技有限公司-測試中心
中心簡介 Center introduction

西安芯派功率器件測試應用中心是陜西省重點實驗室,也是目前國內針對功率器件測試能力最完備的檢測中心,中心在2012年獲得了國家CNAS&國際ILAC認可,具備第三方檢測資質。測試應用中心位于陜西省西安市“十二五”重點建設項目、西北最現代的科技研發園區—西安環普科技產業園,占地4500平方米,耗資超一億人民幣建成,擁有國際先進的儀器設備300余臺,五十余名經驗豐富的工程師為各類客戶提供專業測試服務。中心聘請十余名國內高校教授和行業資深專家,為中心提供高水平的技術支持。

測試應用中心目前具備功率MOSFET、二極管、三極管及IGBT等單管和模塊的全面檢測能力,包含Si/SiC/GaN器件及模塊的動靜態參數、熱特性、高低溫性能、結電容等參數測 ...

測試能力 Testing capability
  • 可靠性測試室
  • 元器件測試室
  • 應用系統測試室
  • 失效分析測試室
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
功率循環試驗(PC) IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流最大1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件 溫度最高150℃; 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗(HTGB) MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度最高150℃; 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度最高150℃ 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度最低-80℃ 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫儲存試驗(HTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最高150℃; 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
低溫儲存試驗(LTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最低-80℃ 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫高濕試驗(THB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最高180℃ 濕度范圍:10%~98% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高低溫循環試驗(TC) MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度范圍:-80℃~220℃ 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
間歇壽命試驗(IOL)功率循環試驗(PC) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流最大48V,10A 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
穩態功率試驗(SSOL) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流最大48V,10A 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高加速應力試驗(HAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度130℃/110℃ 濕度85% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
*無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度130℃ 濕度85% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫蒸煮試驗(PCT) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度121℃ 濕度100% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
預處理試驗(Pre-con) 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
潮氣敏感度等級試驗(MSL) 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
*可焊性試驗(Solderability) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 有鉛、無鉛均可進行 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
直流參數 MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品; 檢測最大電壓:7500V 檢測最大電流:6000A 國標,IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:2500V 檢測最大電流:200A 美軍標
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 檢測阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
開關時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件; 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
開關時間 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:4000A 國標,IEC
反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
反向恢復 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:4000A 國標,IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:4000A 國標,IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:1000A 美軍標,國標,IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:10000A 國標,IEC
結電容 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:3000V IEC
參數曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測最大電壓:3000V 檢測最大電流:1500A 溫度:-70°C~180°C 美軍標,IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管產品 最大功率:250W 美軍標,JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產品 最大功率:4000W 美軍標,JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產品 HBM最大電壓:8000V;MM最大電壓:800V 美軍標,ANSI,JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流橋 檢測最大電流:800A 美軍標,國標
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
電氣參數 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。 低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 低壓DC/DC電源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW; 電機控制板:直流輸入電壓/功率100V/5KW 國標,IEC,客戶要求等
*保護功能測試 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。 低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 低壓DC/DC電源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW; 電機控制板:直流輸入電壓/功率100V/5KW 國標,IEC,客戶要求等
*元器件應力測試 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。 最大峰值電壓:1.5KV; 最大有效值/峰值電流:30A/50A; 最高溫度:260°C 元器件規格,客戶要求等
電氣/抗電強度測試 電子電氣產品 交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA; 直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA 國標,IEC,客戶要求等
絕緣電阻測試 電子電氣產品 (100~1K)Vdc/9999MΩ 國標,IEC,客戶要求等
接地電阻測試 電子電氣產品 30A/600mΩ 國標,IEC,客戶要求等
*低溫測試 電子電氣產品 最低溫度:-70℃ 國標,IEC,客戶要求等
*高溫測試 電子電氣產品 最高溫度:~180℃ 國標,IEC,客戶要求等
*高加速壽命/應力測試 電子電氣產品 溫度范圍:(-100 ~ +200)°C; 溫度上升速率:平均(70°~100°)C/m; 加速: (5 – 60)gRMS (空臺) 國標,IEC,客戶要求等
*靜電放電抗擾度測試 電子電氣產品 接觸靜電放電電壓范圍:(±2~±8)KV 空氣靜電放電電壓范圍:(±2~±25)KV 國標,IEC,客戶要求等
雷擊浪涌抗擾度測試 電子電氣產品 1.2/50us綜合波的開路電壓范圍:(0.25~10)KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍:(0~6)KV; 輸出阻抗:1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω 國標,IEC,客戶要求等
電源端子騷擾電壓/傳導測試 電子電氣產品 9KHz~30MHz 國標,IEC,客戶要求等
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
*開短路檢測 IC 滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試;最大電壓7V,電壓精度1mV;最大電流500mA,電流精度10nA; 客戶要求
*漏電檢測 IC,分立器件,模塊等產品 具有EMMI(微光)和TIVA(激光誘導)兩種偵測方式;加電方式A:電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度10fA;加電方式B:最大電壓3000V,最大電流5A。 客戶要求
*產品外觀或形貌確認 IC,分立器件,模塊等產品 立體成像:最大45倍; 金相成像:最大1000倍;數碼成像:最大6000倍; 客戶要求
*尺寸測量 IC,分立器件,模塊等產品 立體成像:最大45倍; 金相成像:最大1000倍;數碼成像:最大6000倍; 客戶要求
超聲波檢測(SAT) IC,分立器件,模塊等產品 具有分層面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能。可進行A-scan(點掃描)、B-scan(縱向掃描)、C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。 國軍標
X-ray檢測 IC,分立器件,模塊等產品 最高分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能。可進行二維掃描、三維CT掃描。 國軍標
推拉力檢測 IC,分立器件,模塊等產品 支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭,測試范圍0-2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭,測試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。 國軍標
*有害物質檢測 IC,分立器件,模塊等產品 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價鉻(Cr6+)、多溴聯苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低檢測限可達2ppm。 IEC
*樣品開封 IC,分立器件,模塊等產品 激光開封、化學開封、樣品剝層。 客戶要求
*剖面分析 IC,分立器件,模塊等產品 金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。 客戶要求
測試咨詢 Test counseling
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合作機構 Cooperation agency
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