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西安芯派電子科技有限公司-測試能力
測試能力 Testing capability
  • 可靠性測試室
  • 元器件測試室
  • 應用系統測試室
  • 失效分析測試室
  • 新能源測試
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
功率循環試驗(PC) IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流最大1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件 溫度最高150℃; 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗(HTGB) MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度最高150℃; 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度最高150℃ 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度最低-80℃ 電壓最高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫儲存試驗(HTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最高150℃; 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
低溫儲存試驗(LTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最低-80℃ 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫高濕試驗(THB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最高180℃ 濕度范圍:10%~98% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高低溫循環試驗(TC) MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度范圍:-80℃~220℃ 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
間歇壽命試驗(IOL)功率循環試驗(PC) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流最大48V,10A 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
穩態功率試驗(SSOL) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流最大48V,10A 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高加速應力試驗(HAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度130℃/110℃ 濕度85% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
*無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度130℃ 濕度85% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫蒸煮試驗(PCT) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度121℃ 濕度100% 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
預處理試驗(Pre-con) 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
潮氣敏感度等級試驗(MSL) 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
*可焊性試驗(Solderability) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 有鉛、無鉛均可進行 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
直流參數 MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品; 檢測最大電壓:7500V 檢測最大電流:6000A 國標,IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:2500V 檢測最大電流:200A 美軍標
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 檢測阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
開關時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件; 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
開關時間 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:4000A 國標,IEC
反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
反向恢復 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:4000A 國標,IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:4000A 國標,IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:1200V 檢測最大電流:1000A 美軍標,國標,IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產品 檢測最大電壓:2700V 檢測最大電流:10000A 國標,IEC
結電容 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:3000V IEC
參數曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測最大電壓:3000V 檢測最大電流:1500A 溫度:-70°C~180°C 美軍標,IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管產品 最大功率:250W 美軍標,JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產品 最大功率:4000W 美軍標,JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產品 HBM最大電壓:8000V;MM最大電壓:800V 美軍標,ANSI,JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流橋 檢測最大電流:800A 美軍標,國標
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
電氣參數 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。 低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 低壓DC/DC電源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW; 電機控制板:直流輸入電壓/功率100V/5KW 國標,IEC,客戶要求等
*保護功能測試 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。 低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 低壓DC/DC電源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率:80V/1000W; 直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW; 電機控制板:直流輸入電壓/功率100V/5KW 國標,IEC,客戶要求等
*元器件應力測試 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。 最大峰值電壓:1.5KV; 最大有效值/峰值電流:30A/50A; 最高溫度:260°C 元器件規格,客戶要求等
電氣/抗電強度測試 電子電氣產品 交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA; 直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA 國標,IEC,客戶要求等
絕緣電阻測試 電子電氣產品 (100~1K)Vdc/9999MΩ 國標,IEC,客戶要求等
接地電阻測試 電子電氣產品 30A/600mΩ 國標,IEC,客戶要求等
*低溫測試 電子電氣產品 最低溫度:-70℃ 國標,IEC,客戶要求等
*高溫測試 電子電氣產品 最高溫度:~180℃ 國標,IEC,客戶要求等
*高加速壽命/應力測試 電子電氣產品 溫度范圍:(-100 ~ +200)°C; 溫度上升速率:平均(70°~100°)C/m; 加速: (5 – 60)gRMS (空臺) 國標,IEC,客戶要求等
*靜電放電抗擾度測試 電子電氣產品 接觸靜電放電電壓范圍:(±2~±8)KV 空氣靜電放電電壓范圍:(±2~±25)KV 國標,IEC,客戶要求等
雷擊浪涌抗擾度測試 電子電氣產品 1.2/50us綜合波的開路電壓范圍:(0.25~10)KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍:(0~6)KV; 輸出阻抗:1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω 國標,IEC,客戶要求等
電源端子騷擾電壓/傳導測試 電子電氣產品 9KHz~30MHz 國標,IEC,客戶要求等
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
*開短路檢測 IC 滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試;最大電壓7V,電壓精度1mV;最大電流500mA,電流精度10nA; 客戶要求
*漏電檢測 IC,分立器件,模塊等產品 具有EMMI(微光)和TIVA(激光誘導)兩種偵測方式;加電方式A:電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度10fA;加電方式B:最大電壓3000V,最大電流5A。 客戶要求
*產品外觀或形貌確認 IC,分立器件,模塊等產品 立體成像:最大45倍; 金相成像:最大1000倍;數碼成像:最大6000倍; 客戶要求
*尺寸測量 IC,分立器件,模塊等產品 立體成像:最大45倍; 金相成像:最大1000倍;數碼成像:最大6000倍; 客戶要求
超聲波檢測(SAT) IC,分立器件,模塊等產品 具有分層面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能。可進行A-scan(點掃描)、B-scan(縱向掃描)、C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。 國軍標
X-ray檢測 IC,分立器件,模塊等產品 最高分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能。可進行二維掃描、三維CT掃描。 國軍標
推拉力檢測 IC,分立器件,模塊等產品 支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭,測試范圍0-2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭,測試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。 國軍標
*有害物質檢測 IC,分立器件,模塊等產品 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價鉻(Cr6+)、多溴聯苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低檢測限可達2ppm。 IEC
*樣品開封 IC,分立器件,模塊等產品 激光開封、化學開封、樣品剝層。 客戶要求
*剖面分析 IC,分立器件,模塊等產品 金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。 客戶要求
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
車載電源測試系統 車載DCDC、OBC 直流電源功率:15kW
— 電壓范圍:0~750VDC
— 電流范圍:0~25A
直流負載功率:6kW
— 最大電壓:150V
— 最大電流:600A
GB/T 24347-2009
磁粉測功機 扭扭車、平衡車、電動二輪車、電動三輪車 直流電源功率:5kW
— 電壓范圍:0~100VDC
— 電流范圍:0~50A
直流負載功率:5kW
— 最大扭矩:200N.m
— 最大轉速:1000r/min
GB/T 5171-2002
QC/T 792-2007
輔助驅動器試驗臺架 1.5kW、2.2kW、3.7kW、5.5kW、7.5kW的輔助驅動器 電源功率:15kW
— 電壓范圍:0~1000VDC
— 電流范圍:0~15A
磁粉制動器功率:10kW
— 最大扭矩:100N.m
— 最高轉速:2000r/min
GB/T 18488.1-2015
GB/T 18488.2-2015
GB/T 29307-2012
電機對拖試驗臺架 主電機驅動器 電源功率:100kW
— 電壓范圍:50~750VDC
— 電流范圍:0~200A
電機功率:0~120kW
— 最大扭矩:1000N.m
— 最高轉速:12000rpm
GB/T 18488.1-2015
GB/T 18488.2-2015
GB/T 29307-2012
新能源電機試驗臺架 主電機驅動器 — 電源功率:250kW
— 電壓范圍:24~800VDC
— 電流范圍:-625~+625A
— 電機功率:250kW
— 額定扭矩:510N.m
— 最高轉速:15002r/min
GB/T 18488.1-2015
GB/T 18488.2-2015
GB/T 29307-2012
IP防水試驗 電工電子產品 IPX7、X8侵水試驗裝置:
高度:1200mm
寬度:1000mm
長度:800mm
承重:50Kg
壓力范圍:1米水深壓力
GB/T 4208-2017
IEC 60529:2013
復合鹽霧試驗 電工電子產品 內箱尺寸:1m3
溫度范圍:+20~+70℃
鹽霧沉降量:1~2ml/80cm2·h
GJB 150.11A-2009
GB/T 2423.17-2008
GB/T 2423.18-2012
GB/T 10125-2012
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